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SI1405DL
 型号：  SI1405DL
 标记/丝印/代码/打字：  OBD
 厂家：  VISHAY
 封装：  SOT-363/SC70-6
 批号：  05+
 库存数量：  600
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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SI1405DL OBD 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -8V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage -8V
最大漏极电流Id Drain Current -1.6A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 210m?@ VGS = -1.8V, ID = -0.8A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.45
耗散功率Pd Power Dissipation 568mW/0.568W
Description & Applications P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
描述与应用 P沟道1.8-V（G-S）的MOSFET
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