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SI1400DL-T1
 型号：  SI1400DL-T1
 标记/丝印/代码/打字：  NDS
 厂家：  VISHAY
 封装：  SOT-363/SC70-6/TSSOP6/SC-88
 批号：  05+NOPB500
 库存数量：  638
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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SI1400DL-T1 NDS 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current 1.6A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 235m?@ VGS =2.5V, ID =1.3A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.6V
耗散功率Pd Power Dissipation 568mW/0.568W
Description & Applications N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition ? Trench FET Power MOSFET ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
描述与应用 N沟道20 V（D-S）的MOSFET 特点 ??无卤素根据IEC 61249-2-21定义 ??沟槽FET功率MOSFET ??符合RoHS指令2002/95/EC
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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