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RN2105
 型号：  RN2105
 标记/丝印/代码/打字：  YE
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-523/SC-75/SSM
 批号：  05+
 库存数量：  9000
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  带阻尼PNPPNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
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RN2105 YE 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) -50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -100mA/-0.1A
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 2.2KΩ/Ohm
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 47KΩ/Ohm
电阻比(R1/R2) Resistance Ratio 0.047
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 80
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 200MHz
耗散功率Pc Power Dissipation 0.1W/100mW
Description & Applications Features ? Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) ? Built-in bias resistors ? Simplified circuit design ? Fewer parts and simplified manufacturing process ? Complementary to RN1101~RN1106 Applications ? Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
描述与应用 特点 ?晶体管的硅PNP外延型（PCT工艺） ?内置偏置电阻 ?简化电路设计更少的部件和简化制造工艺 ?互补RN1101~~ RN1106 应用 ?开关，逆变电路，接口电路和驱动器电路应用
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