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RN1110
 型号：  RN1110
 标记/丝印/代码/打字：  XK
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-523/ESM
 批号：  10+
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  带阻尼NPNNPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
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RN1110 XK 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA/0.1A
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 4.7KΩ/Ohm
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)
电阻比(R1/R2) Resistance Ratio
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 120
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 250MHz
耗散功率Pc Power Dissipation 0.1W/100mW
Description & Applications Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplified circuit design Reduced number of parts and simplifid manufacturing process Complementary to RN2110~RN2111
描述与应用 开关，逆变电路，接口电路 和驱动器电路应用 借助内置的偏置电阻 简化电路设计 减少零件数量，并简化制造工艺 补充到RN2110~~ RN2111
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