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NTR1P02LT1
 型号:  NTR1P02LT1
 标记/丝印/代码/打字:  P02
 厂家:  ON
 封装:  SOT-23/SC-59
 批号:  05+ROHS3.5K
 库存数量:  5000
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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NTR1P02LT1 P02 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current -1.3A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.135Ω @-700mA,-4.5V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage -0.7--1.253
耗散功率Pd Power Dissipation 400mW/0.4W
Description & Applications Features ? Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life ? Miniature SOT?23 Surface Mount Package Saves Board Space ? Pb?Free Package is Available
描述与应用 ?低的RDS(on) 提供更高的效率和延长电池寿命 ?微型SOT-23表面贴装封装节省电路板空间 ?无铅包装是可用
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
NTR1P02ELT1 PE ON 05+ SOT-23/SC-59 510 场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel 查看
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NTR1P02LT1 P02 ON 05nopb SOT-23/SC-59 0 场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel 查看

 

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