MSD1819A-RT1 ZR 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100mA/0.1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
|
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
90~340 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
500mV/0.5V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
General Purpose Amplifier Transistor NPN Silicon Surface Mount This NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SC-70/SOT-323 package which is designed for low power surface mount applications. ? High hFE, 210–460 ? Low VCE(sat) , < 0.5 V ? Available in 8 mm, 7-inch/3000 Unit Tape and Reel ? Moisture Sensitivity Level 1 ? ESD Protection: Human Body Model > 4000 V ESD Protection: Machine Model > 400 V |
| 描述与应用 |
通用 晶体管放大器 NPN硅表面贴装 这NPN硅外延平面晶体管是专为一般 放大器应用的目的。这个装置是装在 SC-70/SOT-323包装是专为低功率表面 安装应用程序。 ?高HFE，210-460 ?低VCE（SAT） ，<0.5 V ?可在8毫米，7-inch/3000组带和卷轴 ?湿度敏感度等级1 ?ESD保护：人体模型>4000 V ESD保护：机器型号> 400 V |
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