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MSD1328-R
 型号:  MSD1328-R
 标记/丝印/代码/打字:  IDR
 厂家:  MOTOROLA
 封装:  SOT-23/SC-59
 批号:  05+
 库存数量:  2000
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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MSD1328-R IDR 的参数

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 25V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 20V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 500mA/0.5A
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 200~350
管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage 400mV/0.4V
耗散功率Pc Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications NPN Low Voltage Output Amplifiers - Surface Mount ? Pb?Free Packages are Available
描述与应用 NPN低电压输出 放大器 - 表面贴装 ?无铅包可用
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