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KST06
 型号：  KST06
 标记/丝印/代码/打字：  1G
 厂家：  SAMSUNG
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  60000
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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KST06 1G 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 80V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 80V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 500mA/0.5A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 100MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 50
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 250mV/0.25V
耗散功率Pc Power Dissipation 350mW/0.35W
Description & Applications Driver Transistor ? Collector-Emitter Voltage: VCEO = KST05: 60V KST06: 80V ? Collector Power Dissipation: PC (max) = 350mW ? Complement to KST55/56
描述与应用 驱动晶体管 ?集电极 - 发射极电压VCEO = KST05：60V KST06：80V ?集电极耗散功率：PC（最大值）=350MW ?KST55/56补
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