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型号: |
KST10 |
标记/丝印/代码/打字: |
3E |
厂家: |
SAMSUNG |
封装: |
SOT-23/SC-59 |
批号: |
00+ |
库存数量: |
25 |
所属分类: |
三极管Bipolar Junction Transistors(BJT) NPN |
技术文档PDF: |
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KST10 3E 的参数 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
30V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
25V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
3A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
650MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
60 |
管压降VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage |
500mV/0.5V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
350mW/0.35W |
Description & Applications |
VHF/UHF Transistor |
描述与应用 |
VHF/ UHF晶体管 |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
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描述 |
详细资料 |
KST10 |
3E |
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00+ |
SOT-23/SC-59 |
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