|
|
|
|
|
|
|
IRLML6302 1CKU 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
|
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-780mA/-0.78A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.60Ω @-600mA,-4.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.70V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
540mW/0.54W |
| Description & Applications |
Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Surface Mount lAvailable in Tape & Reel Low Gate Charge |
| 描述与应用 |
超低导通电阻 P沟道MOSFET 表面贴装 在磁带和卷轴lAvailable 低栅极电荷 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
|
|
|
|
|
相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| IRLML6302 |
CA/CB/CC/C1/1C/CE/CF/CG |
IR |
05+NOPB8700 |
SOT-23/SC-59 |
204950 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| IRLML6302 |
1CKU |
IR |
06+1rnopb |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| IRLML6401 |
F1 |
IR |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| IRLML6401TR |
F1/F3/F4/F5/F6/FB/FE |
IR |
05+NOPB1000 |
SOT-23/SC-59 |
2845 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| IRLML6402TR |
EC/E4/E1/EB/E7/E3 |
IR |
05+NOPB1200 |
SOT-23/SC-59 |
2000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| IRLML6402TR |
|
IR |
05+nopb |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
|
|
|
