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型号: |
FDC653N |
标记/丝印/代码/打字: |
653 |
厂家: |
FAIRCHILD |
封装: |
SOT-163/SOT23-6 |
批号: |
05+NOPB161K |
库存数量: |
207350 |
所属分类: |
场效应管FET MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
技术文档PDF: |
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FDC653N 653 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
5A |
源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.035Ω/Ohm @5999mA,10V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
1-2V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.6W |
Description & Applications |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 5 A, 30 V. RDS(ON) = 0.035 W @ VGS= 10 V RDS(ON)= 0.055 W @ VGS= 4.5 V. Proprietary SuperSOTTM -6 package design using copper lead frame for superior thermal and electrical capabilities. High density cell design for extremely low RDS(ON) .Exceptional on-resistance and maximum DC current capability. |
描述与应用 |
N沟道增强型场效应晶体管 ?低栅极电荷 ?开关速度快 ?高性能沟道技术极 低RDS(ON) ?高功率和电流处理能力 |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
FDC6506P |
606 |
FAIRCHILD |
05+ |
SOT-163/SOT23-6/SSOT-6 |
0 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel |
查看 |
FDC653N |
653K |
FAIRCHILD |
05NOPB |
SOT-163/SOT23-6 |
30000 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
FDC653N |
653 |
FAIRCHILD |
05+NOPB161K |
SOT-163/SOT23-6 |
207350 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
FDC654P |
654 |
FAIRCHILD |
05+ |
SOT-163/SOT23-6 |
12000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
FDC654P |
654 |
FAIRCHILD |
05+NOPB2500 |
SOT-163/SOT23-6 |
6600 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
FDC655AN |
55A |
FAIRCHILD |
07NOPB |
SOT-163/SOT23-6 |
3000 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
FDC655AN |
55A |
FAIRCHILD |
07+NOPB |
SOT-163/SOT23-6 |
2500 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
FDC658P |
658 |
FAIRCHILD |
05+ |
SOT-163/SOT23-6 |
2500 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
FDC658P |
658 |
FAIRCHILD |
05+ |
SOT-163/SOT23-6 |
6000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
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