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FDC653N
 型号:  FDC653N
 标记/丝印/代码/打字:  653K
 厂家:  FAIRCHILD
 封装:  SOT-163/SOT23-6
 批号:  05NOPB
 库存数量:  30000
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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FDC653N 653K 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.035Ω/Ohm @5999mA,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 1-2V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.6W
Description & Applications N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 5 A, 30 V. RDS(ON) = 0.035 W @ VGS= 10 V RDS(ON)= 0.055 W @ VGS= 4.5 V. Proprietary SuperSOTTM -6 package design using copper lead frame for superior thermal and electrical capabilities. High density cell design for extremely low RDS(ON) .Exceptional on-resistance and maximum DC current capability.
描述与应用 N沟道增强型场效应晶体管 ?低栅极电荷 ?开关速度快 ?高性能沟道技术极 低RDS(ON) ?高功率和电流处理能力
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