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BSP100
 型号：  BSP100
 标记/丝印/代码/打字：  
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-223/SC-73/TO261-4
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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BSP100  的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 6A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.1Ω/Ohm @2.2A,10v
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1-2.8V
耗散功率Pd Power Dissipation 8.3W
Description & Applications N-channel enhancement mode BSP100 TrenchMOS transistor ? Trench’ technology VDSS = 30 V ? Low on-state resistance ? Fast switching ID = 6 A ? High thermal cycling performance ? Low thermal resistance
描述与应用 N沟道增强模式BSP100的TrenchMOS晶体管 ?'战壕'技术VDSS= 30 V ?低通态电阻 ?快速切换ID=6 ?高的热循环性能 ?低热阻
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