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BSP125
 型号:  BSP125
 标记/丝印/代码/打字:  BSP125
 厂家:  INFINEON
 封装:  SOT-223/SC-73/TO261-4
 批号:  05+
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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BSP125 BSP125 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 600V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 120mA/0.12A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 1.3-2.3V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.8W
Description & Applications ? N-Channel ? Enhancement mode ? Logic Level ? dv/dt rated ? Pb-free lead plating; RoHS compliant x Qualified according to AEC Q101
描述与应用 ?N沟道 ?增强模式 ?逻辑电平 ?dv / dt的额定 ?无铅引脚电镀,符合RoHS x符合AEC Q101
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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