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BF1201R
 型号：  BF1201R
 标记/丝印/代码/打字：  LB
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-143
 批号：  ROHS 33R07+28R06
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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BF1201R LB 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 10V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current 30mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.3-1.0/0.3-1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications FEATURES Short channel transistor with high forward transfer admittance to input capacitance ratio Low noise gain controlled amplifier Partly internal self-biasing circuit to ensure good cross-modulation performance during AGC and good DC stabilization.
描述与应用 短沟道晶体管高 正向转移导纳输入 电容比 低噪声增益控制放大器 晴内部自偏置电路 确保良好的交叉调制 在AGC和良好的性能 DC稳定
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