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BCW66G
 型号：  BCW66G
 标记/丝印/代码/打字：  EG
 厂家：  FAIRCHILD
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  10NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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BCW66G EG 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 75V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 45V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 1A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 100MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 160~400
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 700mV/0.7V
耗散功率Pc Power Dissipation 350mW/0.35W
Description & Applications NPN General Purpose Amplifier ? This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 500mA. ? Sourced from process 13
描述与应用 NPN通用放大器 ?本设备是专为通用放大器应用 集电极电流为500mA。 ?来源于过程13
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
BCW66F EF INFINEON 05+ SOT-23/SC-59 300 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-NPN 查看
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