BCW66KH EHs 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
75V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
45V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
800mA/0.8A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
170MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~250 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
450mV/0.45V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
330mW/0.33W |
| Description & Applications |
NPN Silicon AF Transistors ? For general AF applications ? High current gain ? Low collector-emitter saturation voltage ? Complementary type: BCW68 (PNP) ? Pb-free (RoHS compliant) package1) ? Qualified according AEC Q101 |
| 描述与应用 |
NPN硅晶体管自动对焦 ?高电流增益 ?低集电极 - 发射极饱和电压 ?互补类型：BCW68（PNP） ?无铅（符合RoHS）包1） ?符合AEC Q101 |
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