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BC858W
 型号：  BC858W
 标记/丝印/代码/打字：  3M
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-323/SC-70
 批号：  05+
 库存数量：  9000
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  PNP
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BC858W 3M 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) ?30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) ?30V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) ?100mA/-0.1A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 100MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 420~800
管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage -250mV/-0.25V
耗散功率Pc PoWer Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications PNP general purpose transistors FEATURES ? Low current (max. 100 mA) ? Low voltage (max. 65 V). APPLICATIONS ? General purpose switching and amplification.
描述与应用 PNP通用晶体管 特点 ?低电流（最大100 mA） ?低电压（最大65 V）。 应用 ?通用开关和放大。
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