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3SK298
 型号:  3SK298
 标记/丝印/代码/打字:  ZP
 厂家:  HITACHI
 封装:  SOT-343/CMPAK-4/SC70-4
 批号:  05+
 库存数量:  600
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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3SK298 ZP 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 12V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current 25mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0-1.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 100mW/0.1W
Description & Applications Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF / VHF RF amplifier Features ?Low noise figure. NF = 2.0 dB typ. at f = 900 MHz ?Capable of low voltage operation
描述与应用 ?低噪声系数。 NF= 2.0 dB(典型值)在f =900 MHz的 ?能够低电压操作
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