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3SK296ZQ
 型号：  3SK296ZQ
 标记/丝印/代码/打字：  ZQ
 厂家：  RENESAS
 封装：  SOT-343/CMPAK-4
 批号：  05NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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3SK296ZQ ZQ 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 12V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current 25mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.5-0.5/0-1V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF amplifier Features ?Low noise figure. NF = 2.0 dB typ. at f = 900 MHz ?Capable of low voltage operation
描述与应用 硅N沟道双栅MOS FET UHF RF放大器 ?低噪声系数。 NF= 2.0 dB（典型值）在f =900 MHz的 ?能够低电压操作
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