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3SK233
 型号：  3SK233
 标记/丝印/代码/打字：  XW
 厂家：  HITACHI
 封装：  SOT-143/MPAK-4
 批号：  05+
 库存数量：  300
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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3SK233 XW 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 12V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 10V
最大漏极电流Id Drain Current 30mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.7-0.7/0.1-0.8V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications Silicon N Channel Dual Gate MOS FET UHF TV Tuner RF Amplifier ? Low voltage operation. ? Superior cross modulation characteristics.
描述与应用 硅N沟道双栅MOS FET UHF电视调谐器射频放大器 ?低电压操作。 ?高级交叉调制特性
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