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热门查询： MMz TC7USB221WBG MN11 ZSH5M TK11233CM TK11233CMI TK11233CMIL EXCML16A270U S-1132B33-M5 DSC20 BZD27C13P-GS NFR21GD1004702L P1005 LEM3225 uPA803 R1180Q151B RN5RZ33A S-818A50AUC DTZTT1 3N1
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3SK232
 型号：  3SK232
 标记/丝印/代码/打字：  UO
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-143/SOT-24/SC-61
 批号：  05+
 库存数量：  6000
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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3SK232 UO 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 12.5
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current 30mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.4-1.4/0.5-1.5
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel Dual Gate MOS Type TV Tuner, UHF RF Amplifier Applications ? Superior cross modulation performance. ? Low reverse transfer capacitance.: Crss = 20 fF (typ.) ? Low noise figure.: NF = 1.5dB (typ.) TV Tuner, UHF RF Amplifier Applications ? Superior cross modulation performance. ? Low reverse transfer capacitance.: Crss = 20 fF (typ.) ? Low noise figure.: NF = 1.5dB (typ.)
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅N沟道双栅MOS类型 电视调谐器，超高频射频放大器应用 ?高级交叉调制性能。 ?低反向传输电容：CRSS= 20 FF（典型值） ?低噪声系数：NF=1.5分贝（典型值） 电视调谐器，超高频射频放大器应用 ?高级交叉调制性能。 ?低反向传输电容： CRSS= 20 FF（典型值） ?低噪声系数：NF=1.5分贝（典型值
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 相关型号列表
型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
3SK230 U1B NEC 05+ SOT-143 2095 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
3SK230 U1B NEC 06+ SOT-143 66000 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
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