2SK3225(1)-Z-E1 K3225 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
34A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.013Ω/Ohm @17A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1-2V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
2W |
| Description & Applications |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Low on-resistance RDS = 40 m? typ High speed switching 4 V gate drive device can be driven from 5 V source |
| 描述与应用 |
硅N沟道MOS FET 高速电源开关 特性 硅N沟道MOS FET 高速电源开关 低导通电阻 RDS=40MΩ（典型值） 高速开关 4 V栅极驱动器可驱动从5 V电源 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
