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2SK3225(1)-Z-E1
 型号:  2SK3225(1)-Z-E1
 标记/丝印/代码/打字:  K3225
 厂家:  NEC
 封装:  TO-252/D-PAK
 批号:  05+
 库存数量:  200
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK3225(1)-Z-E1 K3225 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 34A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.013Ω/Ohm @17A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 1-2V
耗散功率Pd Power Dissipation 2W
Description & Applications MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE Features SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE Low On-State Resistance RDS(on)1 = 18 m? MAX (VGS = 10 V, ID = 17 A) RDS(on)2 = 27 m? MAX(VGS = 4.0 V, ID = 17 A) Low Ciss : Ciss = 2100 pF TYP Built-in Gate Protection Diode TO-251/TO-252 package
描述与应用 MOS场效应晶体管 开关N沟道功率MOS FET工业用途 特性 开关 N-沟道功率MOS FET 工业用途 低导通状态电阻 RDS(on)1= 18mΩ最大(VGS= 10 V,ID=17 A) RDS(on)2=27mΩ最大(VGS=4.0 V,ID=17 A) 西塞低:西塞=2100 pF(典型值) 内置门保护二极管 TO-251/TO-252包装
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