关键字：

查询类型：型号  厂家  标记/丝印/代码  封装 

热门查询： MMz TC7USB221WBG MN11 ZSH5M TK11233CM TK11233CMI TK11233CMIL EXCML16A270U S-1132B33-M5 DSC20 BZD27C13P-GS NFR21GD1004702L P1005 LEM3225 uPA803 R1180Q151B RN5RZ33A S-818A50AUC DTZTT1 3N1
　 公司简介 经营品牌 产品搜索 Stock Inventory 联系方式 　
　 　 　 　 　 　 　

产品目录
 二极管Diodes (14264)
 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT) (10359)
 场效应管FET (3757)
 电阻Resistor (4413)
 电源管理ICPower Management IC/PMIC (7298)
 集成电路ICIntegrated Circuit（IC） (3418)
 电感Inductor/Coil/Choke (5942)
 电容Capacitor (1615)
 磁珠Ferrite Bead (1041)
 晶振滤波Crystal Oscillator and Filter (1402)
 未分类 (1992)
 保险管FUSE (978)
 晶优晶振 (171)
 测试点Test Point (86)
 标记 (454)
 连接器 (39)
 可控硅/晶闸管Triac/Thyristor,SCR (226)
 衰减器Attenuator (19)
 电阻 (5)
 晶振 (6)
 晶振滤波 (8)
 光电器件Optoelectronic (51)
 集成收发器 (1)
 编码器Switch (61)
 极管Diodes (1)
 磁珠Ferrite (2)
 测试点 (3)
 片式天线 (14)
 集成电 (1)
 场效应管 (1)
 NATIONAL (1)
 模块 (1)
 电源管理IC (1)
 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT (2)
 三极管 (1)
   
2SK2112
 型号：  2SK2112
 标记/丝印/代码/打字：  NV
 厂家：  NEC
 封装：  SOT-89/SC-62
 批号：  05+
 库存数量：  50
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
 技术文档PDF：  在线阅读
　 　
 在线购买
(Search Stock)		 Send order to our E_mail:
saler28@mark-ic.com

2SK2112 NV 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 10V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.5Ω/Ohm @500mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.8-2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 2W
Description & Applications MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING The 2SK2110 is a N-channel MOS FET of a vertical type and is a switching element that can be directly driven by the output of an IC operating at 5 V. This product has a low ON resistance and superb switching characteristics and is ideal for driving the actuators, such as motors and DC/DC converters. Features MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Low ON resistance High switching speed Low parasitic capacitance
描述与应用 MOS场效应晶体管 N沟道MOS FET高速开关 2SK2110是一个N沟道MOS FET的垂直型 是一种开关元件，可以直接驱动的输出 IC工作在5 V。 该产品具有低导通电阻和一流的开关 特征，并且是用于驱动致动器的理想选择，如 马达和DC / DC转换器。 特性 MOS场效应晶体管 低导通电阻 高开关速度 低寄生电容
技术文档PDF下载 在线阅读

　

 相关型号列表
型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
2sk2110 NT NEC 05+NOPB100 SOT-89/SC-62 600 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
2SK2110 NT NEC 05+ SOT-89/SC-62 1000 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
2SK2111 NU NEC 05 SOT-89/SC-62 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
2SK2111 NU NEC 05+NOPB SOT-89/SC-62 700 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
2SK2112 NV NEC 05+ SOT-89/SC-62 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
2SK2112 NV NEC 05+ SOT-89/SC-62 50 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
2SK2113 YY HITACHI 05+ SOT-343/CMPAK-4/SC70-4 1200 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
2SK2113 YY HITACHI 5 SOT-343/CMPAK-4/SC70-4 3000 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
2sk211-GR KG TOSHIBA 12+ROHS SOT-23/SC-59 0 场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel 查看
2SK211-GR KG TOSHIBA 05+ SOT-23/SC-59 408 场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel 查看
2SK211-O KO TOSHIBA 12+ROHS SOT-23/SC-59 9000 场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel 查看
2SK211-O KO TOSHIBA 05+ SOT-23/SC-59 13000 场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel 查看
2SK211-Y KY TOSHIBA 05+ SOT-23/SC-59 0 场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel 查看
2SK211-Y KY TOSHIBA 1220+ROHS SOT-23/SC-59 0 场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel 查看

　
　 公司简介 经营品牌 产品搜索 Stock Inventory 联系方式 　
　 　 　 　 　 　 　
　 　 　 　 　 　 　
深圳市新亚洲电子市场茂业电子商行
公司地址: 深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C035房 电话: 0755-88869068（4线）
企业QQ: 800036813 点击这里给我发消息 传真: 0755-61306100
电子邮箱:800036813@qq.com  


Copyright (c) 1995-2012  All rights reserved.   粤ICP备12037407号


营业执照