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2SK1839
 型号：  2SK1839
 标记/丝印/代码/打字：  JJ
 厂家：  SANYO
 封装：  SOT-323/SC-70
 批号：  05+
 库存数量：  3000
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK1839 JJ 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current 100mA/0.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 15Ω/Ohm @10mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.3-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications Silicon Junction FETs (Small Signal) Silicon N-Channel Junction FET For impedance conversion in low frequency For infrared sensor N-Channel Enhancement Silicon MOSFET Analog Switch Applications Features N-Channel Enhancement Silicon MOSFET Analog Switch Applications Ultrasmall-sized package permitting 2SK1839- applied sets to be made small and slim. Large?Yfs?. Enhancement type. Low ON resistance.
描述与应用 硅结场效应晶体管（小信号） 硅N沟道结型场效应管 在低频率的阻抗变换 红外传感器 N沟道增强硅MOSFET 模拟开关应用 特性 N沟道增强型硅MOSFET 模拟开关应用 超小尺寸封装允许2SK1839 应用设置作出小巧玲珑。 大?Yfs?。 增强型。 低导通电阻。
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