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2SK1830
 型号：  2SK1830
 标记/丝印/代码/打字：  KI
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-523/SSM
 批号：  12+ROHS
 库存数量：  36000
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK1830 KI 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 10V
最大漏极电流Id Drain Current 50mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 20Ω/Ohm @10mA,2.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.5-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 100mW/0.1W
Description & Applications 东芝场效应晶体管的硅A通道MOS型 高速开关应用 模拟开关应用 特性 硅N沟道MOS FET 高速开关应用 模拟开关应用 2.5V栅极驱动 低阈值电压 高速 增强型 小包装
描述与应用 特性 硅N沟道MOS FET 高速开关应用 模拟开关应用 2.5V栅极驱动 低阈值电压 高速 增强型 小包装
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