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2SK1579
 型号：  2SK1579
 标记/丝印/代码/打字：  DY
 厂家：  HITACHI
 封装：  SOT-89/UPAK
 批号：  05+
 库存数量：  2000
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK1579 DY 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 12V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 7V
最大漏极电流Id Drain Current 2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.25Ω/Ohm @1A,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.4-1.4V
耗散功率Pd Power Dissipation 1W
Description & Applications Silicon N Channel MOS FET High speed power switching Features High speed power switching Low on-resistance High speed switching Suitable for low voltage operation
描述与应用 硅N沟道MOS FET 高速功率开关 特性 高速功率开关 低导通电阻 高速开关 适用于低电压操作
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