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2SK1577 P2 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30v |
| 栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage |
-30v |
| 漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current |
30~80ma |
| 关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage |
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| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
80mw |
| Description & Applications |
?N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 描述与应用 |
?N沟道硅结型场效应晶体管 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 2SK1577 |
P2 |
sony |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
2000 |
场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel |
查看 |
| 2SK1577 |
P1 |
sony |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
1200 |
场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel |
查看 |
| 2SK1579 |
DY |
HITACHI |
05+ |
SOT-89/UPAK |
2000 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| 2SK1579 |
DY |
HITACHI |
05+ |
SOT-89/UPAK |
900 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
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