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2SD1620
 型号：  2SD1620
 标记/丝印/代码/打字：  DC
 厂家：  SANYO
 封装：  SOT-89/PCP
 批号：  05+NOPB5KM
 库存数量：  10100
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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2SD1620 DC 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 20V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 3A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 200MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 140~210
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 300mV/0.3V
耗散功率Pc Power Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 1.5V ，3V strobe application featrues * large current capicity and high resistance to breakdown * less power dissipation because of low Vce ，permitting more flashes of light to be emitted * excellent linearity of hFE in the region from low current to high current * ultrasmall size supports high density ,ultrasmall sized hybird ic designs
描述与应用 NPN平面外延硅晶体管 1.5V，3V频闪应用 featrues *大电流容量为和高耐击穿 *功耗低，允许发出闪烁的光，因为低Vce *卓越的线性度在该地区低电流到大电流HFE *超小尺寸支持高密度，超小尺寸摄录IC设计
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