2SD1621T DDT 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
25V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
2A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
150MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~400 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
180mV/0.18V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
Silicon NPN epitaxial planer type darlington high current switching amplification Features * large current capacity and wide ASO * Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) * fast switch speed * adoption of FBET，MBIT processes |
| 描述与应用 |
NPN硅外延平面型达林顿 高电流开关放大 特点 *大电流容量，广ASO *低集电极到发射极饱和电压VCE（SAT） *开关速度快 *采用的FBET，MBIT进程 |
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