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2SD1222
 型号:  2SD1222
 标记/丝印/代码/打字:  D1222
 厂家:  TOSHIBA
 封装:  TO-252
 批号:  05+
 库存数量:  785
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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2SD1222 D1222 的参数

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 40V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 3A
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 1000~2000
管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5V
耗散功率Pc Power Dissipation 1W
Description & Applications TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type. Switching Applications . Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications. Power Amplifier Applications. High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V, IC = 1 A) . Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) (IC = 2 A) . Complementary to 2SB907.
描述与应用 东芝晶体管NPN硅外延型。 切换应用程序。 锤驱动器,脉冲电机驱动应用。 功率放大器应用。 高直流电流增益:HFE=2000(分钟)(VCE= 2 V,IC= 1 A)。 低饱和电压VCE(sat)=1.5 V(最大值)(IC= 2)。 2SB907互补。
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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