2SD1222 D1222 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
40V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
3A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
|
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
1000~2000 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
1.5V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type.
Switching Applications .
Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications.
Power Amplifier Applications.
High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V, IC = 1 A) .
Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) (IC = 2 A) .
Complementary to 2SB907. |
| 描述与应用 |
东芝晶体管NPN硅外延型。
切换应用程序。
锤驱动器，脉冲电机驱动应用。
功率放大器应用。
高直流电流增益：HFE=2000（分钟）（VCE= 2 V，IC= 1 A）。
低饱和电压VCE（sat）=1.5 V（最大值）（IC= 2）。
2SB907互补。 |
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