2SC5755 WL 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
10V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
2A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
|
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
400~1000 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
<120mV/0.12V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
Silicon NPN Epitaxial High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Strobe Applications ? High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (IC = 0.2 A) ? Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.12 V (max) ? High-speed switching: tf = 25 ns (typ.) |
| 描述与应用 |
NPN硅外延 高速开关应用 DC-DC转换器应用 频闪应用 ?高直流电流增益：HFE=400至1000（IC= 0.2 A） ?低集电极 - 发射极饱和电压VCE（饱和）= 0.12 V（最大值） ?高速开关：TF =25 ns |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
