2SC5336 RF 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
12V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100mA/0.1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
65GHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
80~160 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
1.2W |
| Description & Applications |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER FEATURES PACKAGE DIMENSIONS ? High gain (in millimeters) | S21 | *2= 12 dB TYP, @f = 1 GHz, VCE = 10 V, Ic = 20 mA ? New power mini-mold package version of a 4-pin type gain-improved on the 2SC3357 |
| 描述与应用 |
NPN外延硅晶体管 高频低失真放大器 特点包装尺寸 ?高增益（毫米） | S21|* 2 =12 dB，F =1 GHz的，VCE= 10 V，IC=20毫安 ?新的电源小型模具包版本的4针型 获得改善2SC3357 |
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