2SC4103 T106P ILP 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
25V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
30mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
1.1GHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
82~180 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
500mV/0.5V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
Epitaxial planar NPN Silicon transistor Medium Power Amp Low feedback capacitance High transition frequency High gain with low collector to base time constant |
| 描述与应用 |
外延平面NPN硅晶体管 中等功率放大器 低反馈电容 高转换频率 高增益，低集电极到基级时间常数 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
