2SC4104-4 YY4 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
70V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
60V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
50mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
700MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
90~180 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
50mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
PNP/NPN Epitaxial planar Silicon transistor High-Definition CRT Display Applications High fT Small reverse transfer capacitance Adoption of FBET process |
| 描述与应用 |
PNP/ NPN外延平面硅晶体管 高清晰度CRT显示器应用 高FT 小反向传输电容 采纳FBET过程 |
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