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DMN5L06DWK-7
 型号：  DMN5L06DWK-7
 标记/丝印/代码/打字：  DABZ4
 厂家：  DIODES
 封装：  SOT-363/SC70-6
 批号：  12+ROHS
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel
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DMN5L06DWK-7 DABZ4 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 50V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 305MA
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance VGS = 5.0V, ID = 50mA 2Ω
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.2v
耗散功率Pd Power Dissipation 200mw
Description & Applications ual N-Channel MOSFET Low On-Resistance Very Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Ultra-Small Surface Mount Package Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) ESD Protected Up To 2kV"Green" Device (Note 4) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
描述与应用 双N沟道MOSFET的低导通电阻极低的栅极阈值电压低输入电容开关速度快低输入/输出泄漏超小型表面贴装封装铅的设计免费/ RoHS规定（注2）ESD保护可达2kV的“绿色”设备（注4）符合AEC-Q101标准的高可靠性
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