MA4E2054A-287T S2L 的参数 |
| 反向电压Vr
Reverse Voltage |
3V |
| 平均整流电流Io
AVerage Rectified Current |
20MA |
| 最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
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| 最大耗散功率Pd
Power dissipation |
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| Description & Applications |
Surface Mount Low Barrier Schottky Diode
• Low IR (<100nA @ 1V, <500nA @ 3V)
• Designed for High Volume, Low Cost Detector and Mixer Applications
• High Detector Sensitivity: -55 dBm TSS
• Low Capacitance: 0.30 pF
• Low 1/F Noise |
| 描述与应用 |
表面贴装低势垒肖特基二极管
•低IR（<100nA的@1V，<500nA的@3V）
•专为大批量，低成本探测器和混频器应用
•高探测器灵敏度：-55 dBm的TSS
•低电容：0.30 pF的
•低1/ f噪声 |
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