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TTK101MFV-B
 型号:  TTK101MFV-B
 标记/丝印/代码/打字:  12
 厂家:  TOSHIBA
 封装:  SOT-723/VESM
 批号:  12+ROHS
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  结型(JFET)-N沟道JFET N-Channel
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TTK101MFV-B 12 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage -0.1V~-1.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type . * For ECM . * Application for compact ECM . * thin package:0.5mm . *low capacitance: Ciss = 1.8 pF (typ.) @VDS = 2 V, VGS = 0, f = 1MHzLow noise: VN = 15 mV (typ.) @VDD=2 V, RK=1kΩ, Cg=10pF, Gv=80dB, A-Cuve Filter.
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅N沟道结型。 *对于ECM。 申请ECM紧凑。 *薄型封装:0.5MM。 *低电容:西斯=1.8 pF的(典型值)@ VDS=2 V,VGS=0,F =1MHzLow VN= 15毫伏(典型值)噪声: ??@ VDD= 2 V,RK=1KΩ,CG =10PF,GV =80分贝,过滤A-CUVE。
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