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2SK2493
 型号：  2SK2493
 标记/丝印/代码/打字：  K2493
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  TO-252
 批号：  11+ROHS
 库存数量：  2000
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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2SK2493 K2493 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 16V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage ±8V
最大漏极电流Id Drain Current 5A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.08Ω~0.12Ω @VGS=2.5V,ID=2.5A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage Vth = 0.5 to 1.1 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
耗散功率Pd Power Dissipation 20W
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSV). Chopper Regulator and DC−DC Converter Applications. * 2.5-V gate drive. * Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 0.08 mΩ (typ.). * High forward transfer admittance : |Yfs| = 8.0 S (typ.). * Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 16 V). * Enhancement mode : Vth = 0.5 to 1.1 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA).
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS型（π-MOSV）。 斩波稳压器和DC-DC转换器应用。 *2.5-V栅极驱动。 *低漏源导通电阻RDS（ON）= 0.08mΩ（典型值）。 *较强的正向转移导纳：YFS|=8.0Ş（典型值）。 *低漏电流IDSS= 100μA（最大值）（VDS=16 V）。 *增强模式：VTH =0.5至1.1 V（VDS=10V，ID= 1毫安）。
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