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2SJ668
 型号：  2SJ668
 标记/丝印/代码/打字：  J668
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-252
 批号：  12+ROHS
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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2SJ668 J668 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage ±20V
最大漏极电流Id Drain Current -5A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.16Ω~0.25Ω @VGS=−4V, ID=−2.5A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage Vth =−0.8 to −2.0 V (VDS=−10 V,ID =−1 mA)
耗散功率Pd Power Dissipation 20W
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U−MOSIII). Relay Drive, DC/DC Converter and Motor Drive. Applications. *4 V gate drive. * Low drain−source ON-resistance: RDS (ON) = 0.12 Ω (typ.). * High forward transfer admittance: |Yfs| = 5.0 S (typ.). * Low leakage current: IDSS = −100 μA (max) (VDS = −60 V). * Enhancement mode: Vth = −0.8 to −2.0 V (VDS = −10 V, ID = −1 mA).
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（U-MOSIII）。 继电器驱动器，DC/ DC转换器和马达驱动电路。 应用程序。 * 4 V栅极驱动。 *低漏源导通电阻RDS（ON）= 0.12Ω（典型值）。 *较强的正向转移导纳：YFS|=5.0 S（典型值）。 *低漏电流IDSS=-100μA（最大值）（VDS=60V）。 *增强模式：VTH= -0.8到-2.0 V（VDS=-10 V，ID=-1毫安）。
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