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SSM6P36FE
 型号：  SSM6P36FE
 标记/丝印/代码/打字：  PX
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-563/ES6
 批号：  12+ROHS
 库存数量：  44000
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel
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SSM6P36FE PX 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current -330mA/-0.33A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 1.31?@ VGS = -4.5V, ID = -100mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.3~-1.1V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type ○ Power Management Switches ? 1.5-V drive ? Low ON-resistance: Ron = 3.60 Ω (max) (@VGS = -1.5 V) Ron = 2.70 Ω (max) (@VGS = -1.8 V) Ron = 1.60 Ω (max) (@VGS = -2.8 V) Ron = 1.31 Ω (max) (@VGS = -4.5 V)
描述与应用 东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型 ○电源管理开关 ?1.5-V驱动器 ?低导通电阻：R ON= 3.60Ω（最大值）（@ VGS=-1.5 V） RON= 2.70Ω（最大）（@ VGS=-1.8 V） RON= 1.60Ω（最大）（@ VGS=-2.8 V） RON= 1.31Ω（最大）（@ VGS=-4.5 V）
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