2SC4116SU-GR LG 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
150mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
80MHZ |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~400 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.1~0.25 |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
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| Description & Applications |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process).
*Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications
* High voltage and high current: VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max).
* Excellent hFE linearity: hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.).
* High hFE: hFE = 70~700.
*Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max).
* Complementary to 2SA1586.
* Small package. |
| 描述与应用 |
TOSHIBA晶体管的硅NPN外延式（PCT程序）。
*音频通用放大器应用
*高电压和高电流：VCEO=50 V，IC=150 mA（最大）。
*优秀HFE线性：HFE（IC= 0.1毫安）/ HFE（IC= 2毫安）=0.95（典型值）。
*高：HFE HFE=70〜700。
*低噪音：NF=1分贝（典型）10分贝的的（最大）。
*互补2SA1586。
*小型封装。 |
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