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DMG1013T-7
 型号:  DMG1013T-7
 标记/丝印/代码/打字:  PA1
 厂家:  DIODES
 封装:  SOT-523
 批号:  10+ROHS
 库存数量:  910
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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DMG1013T-7 PA1 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 6V
最大漏极电流Id Drain Current -0.46A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.5Ω @-350mA,-4.5V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage -0.5--1.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 270mW/0.27W
Description & Applications ? Low On-Resistance ? Low Gate Threshold Voltage ? Low Input Capacitance ? Fast Switching Speed ? Low Input/Output Leakage
描述与应用 ?低导通电阻 ?低栅极阈值电压 ?低输入电容 ?开关速度快 ?低输入/输出漏
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