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2SK3582CT-B
 型号：  2SK3582CT-B
 标记/丝印/代码/打字：  97
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  CST3
 批号：  12+ROHS
 库存数量：  10000
 所属分类：  场效应管FET
  结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel
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2SK3582CT-B 97 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20v
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage -20v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current 0.08~0.3ma
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage -0.1~-0.65v
耗散功率Pd Power Dissipation 80mw
Description & Applications ?Silicon N-Channel Junction FET Electret condenser microphone - Ideal for Mini Microphone for CSP package of 1.0 × 0.6 × 0.38 mmt ? The excellent reduced voltage characteristic · We have excellent transient response
描述与应用 ?硅N沟道结型场效应管 驻极体电容式麦克风 - 非常适于微型麦克风CSP封装的1.0×0.6×0.38亿吨 ?优秀的降低电压特性 ·出色的瞬态响应
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