SSM6N55NU NN5 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
4A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
46m?@ VGS = 10V, ID = 4000mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1.3~2.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
MOSFETs Silicon N-Channel MOS ?Applications ? Power Management Switches ? DC-DC Converters 2. Features (1) 4.5V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 46 mΩ (max) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 64 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) |
| 描述与应用 |
MOSFET的硅N沟道MOS ?应用程序 ?电源管理开关 ?DC-DC转换器 2。特点 （1）4.5V栅极驱动电压。 （2）低漏源导通电阻 ?RDS（ON）= 46MΩ（最大）（@ VGS=10 V） RDS（ON）=64毫欧（最大值）（@ VGS=4.5 V） |
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