SSM6N44FE NT 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
100mA/0.1A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
4?@ VGS = 4V, ID = 10mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.8~1.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ?High Speed Switching Applications ?Analog Switching Applications ? Compact package suitable for high-density mounting ? Low ON-resistance : RDS(ON) = 4.0 Ω (max) (@VGS = 4 V) : RDS(ON) = 7.0 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 ?高速开关应用 ?模拟开关应用 ?紧凑型封装，适用于高密度安装 ?低导通电阻RDS（ON）= 4.0Ω（最大值）（@ VGS=4 V） RDS（ON）=7.0Ω（最大值）（@ VGS=2.5 V） |
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