TCR4S12DWBG B3 的参数 |
| 电路数量
Number of Regulators |
1 |
| 输入电压VIN
Voltage - Input |
6V |
| 输出电压VOUT
Voltage - Output |
1.2V |
| 输出电流Io
Current - Output |
50mA |
| 最大压降VDO
Voltage - Dropout |
400mV/0.4V |
| 带使能脚EN/CE(ON/OFF功能)
With Enable Pin |
无 No |
| 最大耗散功率Pd
Power dissipation |
800mW/0.8W |
| Description & Applications |
200 mA CMOS Low-Dropout Regulator ?Low quiescent bias current ( IB = 50 μA (typ.) at IOUT = 0 mA ) ? Low stand-by current ( IB(OFF) = 0.1 μA (typ.) at Stand-by mode ) ? Low dropout voltage ( VIN - VOUT = 90 mV (typ.) at TCR4S25DWBG, IOUT = 50 mA ) ? High ripple rejection ratio ( R.R = 80 dB (typ) at IOUT = 10 mA, f =1kHz ) ? Low output noise voltage (VNO = 30 μVrms (typ.) at TCR4S25DWBG, IOUT = 10 mA, 10 Hz ≤ f ≤ 100 kHz) ? Auto-discharge ? Control pull-down resistor ? Overcurrent protection ? Ceramic capacitors can be used ( CIN = 0.1 μF, COUT =1.0 μF ) ? Very small package, WCSP ( 0.79 mm x 0.79 mm x 0.50 mm ) |
| 描述与应用 |
200毫安的CMOS低压差稳压器 ?低静态偏置电流（IB= 50μA（典型值）IOUT= 0毫安） ?低待机电流（IB（关） ?= 0.1μA（典型值）在待机模式） ?低压差电压（VIN - VOUT=90 mV的（典型值）在TCR4S25DWBG，IOUT= 50 mA时） ?高纹波抑制比（RR= 80分贝（典型值）IOUT= 10 mA时，F =1kHz时） ?低输出噪声电压（VNO=30μVrms的（典型值）的TCR4S25DWBG，IOUT = 10毫安，10赫兹≤F≤100千赫） ?自动放电 ?控制下拉电阻 ?过流保护 ?可以使用陶瓷电容（CIN= 0.1μF，COUT=1.0μF） ?非常小的封装，采用WCSP封装（0.79毫米×0.79毫米×0.50毫米） |
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