2SC4944-Y LY 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
150mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
80MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
120~400 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
-100mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW |
| Description & Applications |
Features ?Transistor silicon NPN epitaxial type(PCT process) ?audio frequency general purpuse amplifier application ?small package (dual type) ?high voltage and high current ?high hfe ?excellent hfe linearity ?complementary to 2SA1873 |
| 描述与应用 |
特点 ?晶体管硅NPN外延式（PCT的进程） ?一般我厂开发音频放大器应用 ?小型封装（双类型） ?高电压和高电流 ?高HFE ?优秀HFE线性 ?互补2SA1873 |
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