HN4A08J 36 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-25V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-800mA |
| Q1基极输入电阻R1
Input Resistance(R1) |
120MHz |
| Q1基极-发射极输入电阻R2
Base-Emitter Resistance(R2) |
100~320 |
| Q1电阻比(R1/R2)
Q1 Resistance Ratio |
-400mV |
| Q2基极输入电阻R1
Input Resistance(R1) |
300mW |
| Q2基极-发射极输入电阻R2
Base-Emitter Resistance(R2) |
Features ? TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) ? High DC Current Gain : hFE = 100~320 ? Low Saturation Voltage : VCE(sat)= ?0.4V (Max.) : (IC = ?500mA , IB = ?20mA) ? Low Frequency Power Amplifer Applications ? Power Switching Application |
| Q2电阻比(R1/R2)
Q2 Resistance Ratio |
特点 ?东芝晶体管的硅PNP外延型（PCT工艺） ?高DC电流增益：HFE=100?320 ?低饱和电压VCE（星期六）=-0.4V（最高）：（IC=500mA，可IB=-20mA的） ?低频功率放大器应用 ?电源开关应用 |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
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| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
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| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
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| Description & Applications |
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| 描述与应用 |
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